NEC Electronics ha presentato quattro nuovi dispositivi di potenza intelligenti: si tratta dei dispositivi μPD166017, μPD166019, μPD166020 e μPD166021. Ogni high-side IPD è applicabile ai sistemi di illuminazione delle automotive e su altri carichi critici del veicolo. Progettati per le unità elettroniche di controllo delle automobili on – board i nuovi dispositivi di Nec Electronics hanno un transistor di potenza metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo embedded (MOSFET) per la commutazione.

Diodes Incorporated ha introdotto il più piccolo MOSFET auto protetto - ZXMS6004FF e' contenuto in SOT23F

Se avete realizzato l’ampli a mosfet da 220 watt presentato qualche settimana fa non vi rimane che approntare lo stadio di alimentazione. Allo scopo, proponiamo in questo articolo l’adeguato alimentatore da rete a tensione di uscita duale.

Realizzare un amplificatore mosfet 220 watt. I mosfet alimentano l'altoparlante attraverso un fusibile da 10 ampère ed una bobina.

Vi proponiamo la realizzazione di un amplificatore mosfet che può darvi molte soddisfazioni e soprattutto la potenza necessaria per diffondere musica all’aperto.

I progettisti di convertitori DC-DC ad alta corrente per notebook, desktop di fascia alta, server e avanzati sistemi telecom e datacom hanno a disposizione da oggi un nuovo chipset sviluppato da International Rectifier con la più recente tecnologia MOSFET DirectFET, disponibile nelle due versioni IRF6716M e IRF6712S.

Passiamo adesso ai Mosfet (leggi anche IGBT ed altri dispositivi di potenza). Nonostante la larga utilizzazione che si fa dei dispositivi IGBT nel controllo di potenza, i Mosfet sono ancora dei validi concorrenti a questi.