Memoria flash TFS a 90nm e FlexMemory

Memoria flash TFS a 90nm e FlexMemory

La memoria flash TFS (Thin Film Storage) a 90nm è il mezzo grazie al quale i microcontrollori Freescale di nuova generazione potranno offrire le eccezionali capacità di risparmio energetico, di prestazioni e di flessibilità. L’obiettivo di Freescale è quello di portare una potente combinazione tecnologica (memoria flash TFS e celle Split gate) sul mercato, per offrire diversi vantaggi chiave per affrontare le tecnologie concorrenti.

Memoria flash TFS e celle Split Gate

Questo tipo di celle permette tempi di accesso inferiori a 30 ns, circa dal 30 al 50% più veloce di molte compagnie concorrenti. I transistor veloci e a bassa tensione offrono una programmazione flash e una operatività della periferica analogica sotto 1.71 V con una significativa riduzione dell’apporto di corrente. Le tecnologie concorrenti sono di solito limitate a 2.0 V O superiore.

FlexMemory

La nuova tecnologia FlexMemory di Freescale offre una soluzione estremamente versatile e potente per i progettisti che cercano una memoria EEPROM on-chip e/o un’addizionale memoria flash di dati. Veloce come la SRAM, essa non richiede nessun intervento dell’utente o del sistema per completare la programmazione e cancellare le funzioni quando viene utilizzata come una EEPROM byte-write/byte-erase ad alta resistenza. FlexMemory può anche offrire una memoria flash aggiuntiva (FlexNVM) per l’immagazzinamento di programmi o di dati in parallelo con il program flash principale. L’utente può configurare diversi parametri inclusi la dimensione e la resistenza.
Le caratteristiche chiave di FlexMemory includono:

    – Configurabilità per il designer:
    dimensione EEPROM e il numero di cicli di scrittura/cancellazione
    – Durata EEPROM di 10M di cicli di scrittura/cancellazione possibili a massima tensione e raggio di temperatura
    – Operazioni di lettura/scrittura EEPROM senza interruzioni
    – Operazioni di scrittura/cancellazione ad alta velocità, 16 bit e 32 bit
    – Operazione read-while-write con la memoria di programma flash principale

Trade-off programmabile

FlexMemory permette all’utente di configurare in maniera completa il modo in cui i blocchi FlexNVM e FlexRAM debbano essere utilizzati per offrire il miglior equilibrio di risorse di memoria per la loro applicazione. L’utente può configurare diversi parametri, incluse la dimensione EEPROM, la resistenza EEPROM e i cicli byte-write e read-while-write. Oltre a questa flessibilità, FlexMemory offre delle prestazioni più elevate rispetto alle tradizionali soluzioni EEPROM.

Alta resistenza

La resistenza della memoria EEPROM byte-writeable è configurabile dall’utente per mezzo di due fattori: dimensioni della memoria EEPROM e dimensione della memoria FlexNVM allocata sul backup di EEPROM.

Esempio di uno Use Case

Il microcontrollore ha 128 kB di memoria flash e 32 kB di SRAM, FlexMemory ha 128 kB di memoria FlexNVM e 4 kB di FlexRAM (la massima grandezza EEPROM). L’ applicazione richiede 8 kB in più di lascia per un bootloader e 256 byte di memoria EEPROM ad alta resistenza. L’utente potrebbe allocare 8 kB di FlexNVM al posto della memoria aggiuntiva flash e i rimanenti 120 kB per il backup di EEPROM. L’utente potrebbe definire 256 byte di dimensione EEPROM dalla FlexRAM. In quest’esempio, la durata della memoria EEPROM risulta essere ad un minimo di 2,32M di cicli di scrittura/cancellazione.

7 Comments

  1. SuperG72 13 febbraio 2011
  2. stewe 10 febbraio 2011
  3. Alex87ai 10 febbraio 2011
  4. Alex87ai 10 febbraio 2011
  5. giuskina 10 febbraio 2011
  6. mingoweb 10 febbraio 2011
  7. NIck_BG 10 febbraio 2011

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