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Memoria flash TFS a 90nm e FlexMemory

Memoria flash TFS a 90nm e FlexMemory

La memoria flash TFS (Thin Film Storage) a 90nm è il mezzo grazie al quale i microcontrollori Freescale di nuova generazione potranno offrire le eccezionali capacità di risparmio energetico, di prestazioni e di flessibilità. L'obiettivo di Freescale è quello di portare una potente combinazione tecnologica (memoria flash TFS e celle Split gate) sul mercato, per offrire diversi vantaggi chiave per affrontare le tecnologie concorrenti.

Memoria flash TFS e celle Split Gate

Questo tipo di celle permette tempi di accesso inferiori a 30 ns, circa dal 30 al 50% più veloce di molte compagnie concorrenti. I transistor veloci e a bassa tensione offrono una programmazione flash e una operatività della periferica analogica sotto 1.71 V con una significativa riduzione dell'apporto di corrente. Le tecnologie concorrenti sono di solito limitate a 2.0 V O superiore.

FlexMemory

La nuova tecnologia FlexMemory di Freescale offre una soluzione estremamente versatile e potente per i progettisti che cercano una memoria EEPROM on-chip e/o un'addizionale memoria flash di dati. Veloce come la SRAM, essa non richiede nessun intervento dell'utente o del sistema per completare la programmazione e cancellare le funzioni quando viene utilizzata come una EEPROM byte-write/byte-erase ad alta resistenza. FlexMemory può anche offrire una memoria flash aggiuntiva (FlexNVM) per l'immagazzinamento di programmi o di dati in parallelo con il program flash principale. L'utente può configurare diversi parametri inclusi la dimensione e la resistenza.
Le caratteristiche chiave di FlexMemory includono:

    - Configurabilità per il designer:
    dimensione EEPROM e il numero di cicli di scrittura/cancellazione
    - Durata EEPROM di 10M di cicli di scrittura/cancellazione possibili a massima tensione e raggio di temperatura
    - Operazioni di lettura/scrittura EEPROM senza interruzioni
    - Operazioni di scrittura/cancellazione ad alta velocità, 16 bit e 32 bit
    - Operazione read-while-write con la memoria di programma flash principale

Trade-off programmabile

FlexMemory permette all'utente di configurare in maniera completa il modo in cui i blocchi FlexNVM e FlexRAM debbano essere utilizzati per offrire il miglior equilibrio di risorse di memoria per la loro applicazione. L'utente può configurare diversi parametri, incluse la dimensione EEPROM, la resistenza EEPROM e i cicli byte-write e read-while-write. Oltre a questa flessibilità, FlexMemory offre delle prestazioni più elevate rispetto alle tradizionali soluzioni EEPROM.

Alta resistenza

La resistenza della memoria EEPROM byte-writeable è configurabile dall'utente per mezzo di due fattori: dimensioni della memoria EEPROM e dimensione della memoria FlexNVM allocata sul backup di EEPROM.

Esempio di uno Use Case

Il microcontrollore ha 128 kB di memoria flash e 32 kB di SRAM, FlexMemory ha 128 kB di memoria FlexNVM e 4 kB di FlexRAM (la massima grandezza EEPROM). L' applicazione richiede 8 kB in più di lascia per un bootloader e 256 byte di memoria EEPROM ad alta resistenza. L'utente potrebbe allocare 8 kB di FlexNVM al posto della memoria aggiuntiva flash e i rimanenti 120 kB per il backup di EEPROM. L'utente potrebbe definire 256 byte di dimensione EEPROM dalla FlexRAM. In quest'esempio, la durata della memoria EEPROM risulta essere ad un minimo di 2,32M di cicli di scrittura/cancellazione.

 

 

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ritratto di stewe

(Nessun oggetto)

Non avevo mai sentito parlare di queste tecnologie... pian piano sto rivalutando l'ottima possibilità di imparare cose nuove per mezzo di questo bel Blog!

ritratto di Alex87ai

Io ho sempre creduto e

Io ho sempre creduto e sostenuto Elettronica Open Source per la vasta quantità di articoli che ogni giorno propone e soprattutto per la professionalità degli stessi. Rappresenta per me e per tanti progettisti un punto di riferimento da cui apprendere le ultime news in campo tecnologico, della componentistica e anche teorico su argomenti vecchi o nuovi ma sempre di piacevole lettura.

ritratto di SuperG72

Condivido...

...il giudizio senz'altro positivo su Elettronica Open Source; da Febbraio, con l'incentivo degli Arduino in palio, sto leggendo di più e vengo confermato nella mia stima per tutti gli autori; se posso cogliere l'occasione per dare un consiglio chiederei a tutti lo sforzo (ma alcuni già lo fanno, per la verità) di corredare i post sempre con riferimenti al materiale che citano o a siti/libri/riviste che consentano di approfondire. D'altro canto la 'bibliografia' è sempre un elemento che non può mancare nei testi di valore scientifico, e credo che anche qui qualche link non stia male: così la curiosità scatenata dalla lettura dell'articolo può essere appagata!
Grazie.

ritratto di Alex87ai

Le sto studiando come

Le sto studiando come approfondimento del corso di dispositivi elettronici!! O meglio sto sudiando non la memoria in se, ma il principio su cui si fondano!!

ritratto di giuskina

memorie veloci

Azzarola che tempi di accesso e di lettura/scrttura bassi ;) Davvero un grande progresso ! Vi ricordate un 10-15 anni fa che lenti che erano i pc a causa proprio del collo di bottiglia che rappresentavano gli HD !

ritratto di mingoweb

Ottima tecnologia che

Ottima tecnologia che secondo me va implementata nei dispositivi portatili... Ottimo articolo, non conoscevo questa tecnologia...

ritratto di NIck_BG

Da ciò che ho letto sembra

Da ciò che ho letto sembra proprio un buon componente anche non molto difficile da configurare!
Si potrebbero fare delle cose abbastanza carine e veloci :-)

 

 

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