Memristori flessibili

Alcuni ricercatori Sud Coreani hanno recentemente realizzato memristori attraverso l'utilizzo di ossido di grafene su substrato in plastica.

Cosa è un memristore

Il memristore fa parte ormai dei quattro elementi passivi fondamentali (condensatori, resistori, induttori ed appunto memristori).Il principio di funzionamento di questo dispositivo nanometrico consiste nel 'ricordare' in termini di resistività la corrente che lo attraversa anche una volta che la stessa corrente smette di fluire. 

Image: J. J. Yang/HP Labs

 

Già nel 1971 Leon Chua dell'University of California, Berkeley, predisse l'esistenza di un quarto elemento, ma soltanto due anni fà HP riusci a produrre una memoria RAM resistiva basata sui memristori. L'utilizzo di memristori come memorie resistive è attualmente la prospettiva più convincente. Infatti si ottengono RAM con grandi capacità in grado di mantenere l'informazione anche dopo che l'alimentazione viene spenta. Ad esempio i computer potranno essere accesi senza boot di sistema ed essere pronti all'uso immediatamente.
Il memristore prodotto da HP è costituito in sostanza da due array di piste metalliche parallele divise da un film sottile di diossido di titanio (TiO_2) e posizionate in modo che siano perpendicolari fra loro a formare una matrice. Ogni punto di incrocio rappresenta un memristore. Con le tecnologie in posseso si riescono a fabbricare RRAM a grande densità (il singolo memristore ha una grandezza circa sette volte inferiore del più piccolo transistore MOS).

Già nel 1971 Leon Chua dell'University of California, Berkeley, predisse l'esistenza di un quarto elemento, ma soltanto due anni fà HP riusci a produrre una memoria RAM resistiva basata sui memristori. L'utilizzo di memristori come memorie resistive è attualmente la prospettiva più convincente. Infatti si riescono ad ottenere RAM con grandi capacità in grado di mantenere l'informazione anche dopo che l'alimentazione viene a mancare. Ad esempio i computer potranno essere accesi senza boot di sistema ed essere pronti all'uso immediatamente.
Il dispositivo prodotto da HP è costituito in sostanza da due array di piste metalliche parallele divise da un film sottile di diossido di titanio (TiO_2) e posizionate in modo che siano perendicolari fra loro a formare una matrice. Ogni punto di incrocio rappresenta un memristore. Con le tecnologie in possesso si riescono a fabbricare RRAM a grande densità (il singolo memristore ha una grandezza circa sette volte inferiore del più piccolo transistore MOS).

 

memristore

 

La novità

I ricercatori Sud Coreani hanno realizzato qualcosa di diverso. Utilizzando le stesse geometrie, hanno sostituito il diossido di titanio con l'ossido di grafene e posizionato il tutto su un supporto in plastica ottenendo 25 memristori ogni 50 μm di larghezza. Il risultato è un dispositivo 1000 volte più grande ma con il vantaggio di essere flessibile e soprattutto economico.
Il ciclo di vita è stimato essere simile a quello delle attuali memorie flash, ovvero può passare dallo stato di 'on' ad 'off' e viceversa per circa 100.000 volte anche se ci sono buone prospettive per incrementare tale valore ad un milione.
Saranno memoria economiche, flessibili, con bassi consumi di potenza e facili da fabbricare. Le ricerche continuano a spingere su questi nuovi dispositivi e nell'arco di pochi anni potremmo già vedere qualcosa sul mercato.

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