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Nuovo chipset MOSFET DirectFET a bassa on-state resistance per applicazioni a 25 V

Nuovo chipset MOSFET DirectFET a bassa on-state resistance per applicazioni a 25 V

I progettisti di convertitori DC-DC ad alta corrente per notebook, desktop di fascia alta, server e avanzati sistemi telecom e datacom hanno a disposizione da oggi un nuovo chipset sviluppato da International Rectifier con la più recente tecnologia MOSFET DirectFET, disponibile nelle due versioni IRF6716M e IRF6712S.

Il control FET IRF6712S e il sync FET IRF6716M sono caratterizzati da bassissimi valori di induttanza del package, della resistenza nello stato ON, della carica di gate e della carica fra gate e drain, che consentono di avere un’elevata efficienza e prestazioni termiche superiori. In tal modo il nuovo chipset può operare con una corrente fino a 25 A per fase, pur avendo dimensioni estremamente contenute.

L’IRF6716M è particolarmente indicato per i raddrizzatori sincroni dei convertitori DC-DC ad alta frequenza utilizzati per alimentare carichi con correnti elevate, grazie a una RDS(on) che è la più bassa attualmente disponibile in un dispositivo da 25 V (valori tipici 1,2 m @ VGS = 10 V e 2,0 m @ VGS = 4,5 V). L’IRF6712S è ottimizzato per le applicazioni ad alta corrente con un solo MOSFET di controllo. I valori tipici della sua RDS(on) sono 3,8 m @ VGS = 10 V e 6,7 m @ VGS = 4,5. Sia l’IRF6716M che l’IRF6712S hanno un profilo di soli 0,7 mm.
Il package dei DirectFET è compatibile con la Direttiva RoHS.

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