Si avvicina la fine della memoria Nand Flash?

fine della memoria flash nand

La Nand Flash, memoria flash inventata da Toshiba nel 1989, ha avuto da allora un’evoluzione continua ma IM Flash Technologies (IMFT), durante la presentazione della nand flash chip a 25 nanometri, ha anche preannunciato che non sarà possibile, per questioni di margini di errore ed affidabilità, ridurre il formato ulteriormente e alcuni parlano già di inevitabile avvicinarsi della fine della Nand Flash: sarà proprio vero?

Pareri autorevoli sostengono di si: Gregory Wong, analista per Forward Insights ha infatti dichiarato “Tutti sono già proiettati verso possibili alternative nella prospettiva di una probabile morte del prodotto entro 4 o 5 anni”.
La Nand è stata senza dubbio l’unica grande innovazione tecnologica dalla portata rivoluzionaria nel settore dei drive degli ultimi tempi, grazie anche a grandi firme che ne hanno appoggiato la diffusione, prime fra tutte Apple che ha usato la memoria flash nand per i super popolari Iphone e Ipod.

Stando alle previsioni della iSuppli Corp. Le vendite avranno un boom imminente che andrà dalle 530 milioni di unità vendute quest’anno fino a raggiungere nel 2013 ben 9,5 miliardi per un introito pari a 26,5 miliardi di dollari. L’incremento delle vendite sarebbe, secondo queste stime, favorito in particolare dalla larga applicabilità della memoria nand flash, soprattutto negli smartphone.

In effetti più funzioni le compagnie offrono (che sia touch-screen, wireless, HD video o altro) e più capacità sarà richiesta ai moduli di memoria.
Ad esempio Samsung ha da poco rilasciato il nuovo chip flash da 64 Gb e micro SD card da 32 Gb per dispositivi mobili.

Entrambi utilizzano la tecnologia litografica a 30nm. Steve Weinger, manager del settore marketing di Samsung Semiconductor Inc., ha in proposito confermato come la necessità, o semplicemente il desiderio, di avere spazio per numero indefinito di applicazioni, dai video, alla tv, a siiti quali YouTube.com, sta portando ad un’accelerazione dello sviluppo di questo modulo di memoria misurato con una percentuale di circa il 34% l’anno.

A seguito di queste esigenze la NAND Flash ha raddoppiato la sua capacità in poco più di un anno. Il problema è riuscire ad ottimizzare oltre il livello attuale dimensioni e capacità: al momento la ltografia a 25nm di Intel e Micron è il massimo dell’ipotizzabile. La litografia è la tecnica di creare celle e transitor in silicone per immagazzinare dati: più sono piccoli e più dati possono essere contenuti in un singolo NAND flash chip. A 25nm le celle in silicone sono 3000 volte più fine di una ciocca di capelli.

Stando alle dichiarazioni di Michael Yang, analista per iSuppli Corp., tutto ciò che c’è oltre il limite di 20nm è un territorio inesplorato per la memoria NAND FLASH: “Anche se può essere provato che è possibile scendere anche a 19nm o meno, in pratica questo è un obiettivo poco realizzabile”. I chip MLC (Multi Level Cell), il tipo di Nand Flash memory più comune, possono archiviare più bit per ogni cella ma questo equivale anche ad un margine maggiore di errore (che non viene percepito dall’utente se non come riduzione della velocità perché l’errore in sé viene corretto tramite un sistema automatico).

Proprio per questo limite e per l’avvicinamento, sembrerebbe inevitabile, al limite fisico minimo della memoria flash, i produttori stanno sviluppando tecnologie alternative, concentrandosi comunque soprattutto sulle memorie non volatili. Emerge in particolare la tecnologia Rram (Resistive Ram) in cui il silicone viene sostituito da film di materiali ossidi in grado di assumere due diversi valori di resistenza in base alla tensione.

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