La memoria flash TFS (Thin Film Storage) a 90nm è il mezzo grazie al quale i microcontrollori Freescale di nuova generazione potranno offrire le eccezionali capacità di risparmio energetico, di prestazioni e di flessibilità. L'obiettivo di Freescale è quello di portare una potente combinazione tecnologica (memoria flash TFS e celle Split gate) sul mercato, per offrire diversi vantaggi chiave per affrontare le tecnologie concorrenti.

L'università di Tokyo ha recentemente annunciato lo sviluppo di una "organic flash memory", una memoria che ha la stuttura base simile a quella di una flash memory ma ha la peculiarità di essere invece costituita da materia organica. Su questa innovativa e particolarissima memoria i dati potranno essere riscritti oltre 1.000 volte, i voltaggi di cancellazione e scrittura saranno di 6V e 1V.