Tecnologia Flash Thin Film Storage e FlexMemory [Sub ITA]

Flash Thin Film Storage FlexMemory Freescale

FlexMemory (embedded EEPROM) è una delle caratteristiche dei microcontroller Kinetis. In questo video i benefici di tale tecnologia nelle MCU Kinetis (ARM Cortex M4)

Salve, sono Paul Kenouish, Ingegnere di sistema alla Freescale Semiconductors e vorrei presentarvi la tecnologia Flash Thin Film Storage sviluppata dalla Freescale. Questa tecnologia Flash permette un tempo di accesso superveloce (prefast): addirittura meno di 30 nanosecondi, che potenzierà il vostro sistema il quale sarà pienamente operativo già a partire da 1.71 V! Con questa tecnologia implementiamo la FlexMemory presente nel ColdFire Plus e nei microcontrollori Kinetis.

Ora lasciate che vi spieghi di cosa si tratta! La FlexMemory è utilizzata per implementare la EEPROM potenziata eliminando così l’introduzione di componenti esterne nel sistema. Si compone di: FlexNVM e FLEXRAM. La FLEXNMV è una parte aggiuntiva di Memoria Flash che permette di utilizzare ulteriori risorse di sistema come la Flash programma o la Flash dati oppure per l’implementazione della Eeprom. L’utente può selezonare la quantità di Flash da usare per la memorizzazione dei programmi-dati e la quantità di Flash da usare per supportare l’implementazione della Eeprom.

La FlexRam è una parte di Ram che può essere usata sia per il sistema, che le applicazioni o anche per implementare ulteriormente la Eeprom potenziata. Ora vediamo i vantaggi di una FlexMemory rispetto alle Eeprom tradizionali: La FlexMemory ne offre infatti diversi se paragonata a queste ultime: può essere letta in fase di scrittura, ha una granularità di scrittura/cancellazione per byte, e’ un programma prefast/velocissimo: 100 microsecondi se la memoria è vuota. Il vantaggio competitivo è che i cicli di scrittura/cancellazione possono superare i 10 milioni come valore minimo!

E’ pienamente operativo già a 1.71V e offre grande flessibilità: l’utente può selezionare il trade-off tra la quantità aggiuntiva di Flash di programma e la durata della Eeprom. Ora vediamo insieme cosa si intende per flessibilità, con un esempio: supponiamo che stiate utilizzando un microcontrollore di 128 k di Memoria Flash ed una SRam da 32k e che abbiate una FlexMemory con 128k di FLEXNVM e 4K di FlexRam. Nella vostra applicazione avete la necessità di avere una Flash aggiuntiva di 8k per il boot loader, ad esempio e 256B di Eeprom a lunga resistenza.

Con la FlexMemory potrete programmare la FlexNVM perchè vi dia gli 8k di Flash aggiuntiva per il vostro sistema e con la restante FlexNVM potrete implementare la Eeprom da 256B fino addirittura ad una resistenza pari a 2,23 milioni di cicli scrittura/cancellazione come valore minimo! Usate ColdFire+ o i microcontrollori kinetis ed usufruite dei numerosi vantaggi di questa unica e nuova tecnologia marchiata Freescale!

Guarda il Video SOTTOTITOLATO in Italiano

Iscriviti al nostro canale YouTube e vota i VIDEO migliori

One Response

  1. electropower 20 giugno 2011

Leave a Reply