Home
Accesso / Registrazione
 di 

Tecnologia Flash Thin Film Storage e FlexMemory [Sub ITA]

Flash Thin Film Storage FlexMemory Freescale

FlexMemory (embedded EEPROM) è una delle caratteristiche dei microcontroller Kinetis. In questo video i benefici di tale tecnologia nelle MCU Kinetis (ARM Cortex M4)

Salve, sono Paul Kenouish, Ingegnere di sistema alla Freescale Semiconductors e vorrei presentarvi la tecnologia Flash Thin Film Storage sviluppata dalla Freescale. Questa tecnologia Flash permette un tempo di accesso superveloce (prefast): addirittura meno di 30 nanosecondi, che potenzierà il vostro sistema il quale sarà pienamente operativo già a partire da 1.71 V! Con questa tecnologia implementiamo la FlexMemory presente nel ColdFire Plus e nei microcontrollori Kinetis.

Ora lasciate che vi spieghi di cosa si tratta! La FlexMemory è utilizzata per implementare la EEPROM potenziata eliminando così l’introduzione di componenti esterne nel sistema. Si compone di: FlexNVM e FLEXRAM. La FLEXNMV è una parte aggiuntiva di Memoria Flash che permette di utilizzare ulteriori risorse di sistema come la Flash programma o la Flash dati oppure per l’implementazione della Eeprom. L’utente può selezonare la quantità di Flash da usare per la memorizzazione dei programmi-dati e la quantità di Flash da usare per supportare l’implementazione della Eeprom.

La FlexRam è una parte di Ram che può essere usata sia per il sistema, che le applicazioni o anche per implementare ulteriormente la Eeprom potenziata. Ora vediamo i vantaggi di una FlexMemory rispetto alle Eeprom tradizionali: La FlexMemory ne offre infatti diversi se paragonata a queste ultime: può essere letta in fase di scrittura, ha una granularità di scrittura/cancellazione per byte, e' un programma prefast/velocissimo: 100 microsecondi se la memoria è vuota. Il vantaggio competitivo è che i cicli di scrittura/cancellazione possono superare i 10 milioni come valore minimo!

E' pienamente operativo già a 1.71V e offre grande flessibilità: l’utente può selezionare il trade-off tra la quantità aggiuntiva di Flash di programma e la durata della Eeprom. Ora vediamo insieme cosa si intende per flessibilità, con un esempio: supponiamo che stiate utilizzando un microcontrollore di 128 k di Memoria Flash ed una SRam da 32k e che abbiate una FlexMemory con 128k di FLEXNVM e 4K di FlexRam. Nella vostra applicazione avete la necessità di avere una Flash aggiuntiva di 8k per il boot loader, ad esempio e 256B di Eeprom a lunga resistenza.

Con la FlexMemory potrete programmare la FlexNVM perchè vi dia gli 8k di Flash aggiuntiva per il vostro sistema e con la restante FlexNVM potrete implementare la Eeprom da 256B fino addirittura ad una resistenza pari a 2,23 milioni di cicli scrittura/cancellazione come valore minimo! Usate ColdFire+ o i microcontrollori kinetis ed usufruite dei numerosi vantaggi di questa unica e nuova tecnologia marchiata Freescale!

Guarda il Video SOTTOTITOLATO in Italiano

Iscriviti al nostro canale YouTube e vota i VIDEO migliori

 

 

Scrivi un commento all'articolo esprimendo la tua opinione sul tema, chiedendo eventuali spiegazioni e/o approfondimenti e contribuendo allo sviluppo dell'argomento proposto. Verranno accettati solo commenti a tema con l'argomento dell'articolo stesso. Commenti NON a tema dovranno essere necessariamente inseriti nel Forum creando un "nuovo argomento di discussione". Per commentare devi accedere al Blog
ritratto di electropower

Diciamo che Freescale è

Diciamo che Freescale è sinonimo di qualità e innovazione un po’ in tutti campi della progettazione dei sistemi digitali ed Embedded ma non solo…non tantissimo tempo fa abbiamo letto sulle pagine di Elettronica Open Source di una nuova gamma di transistor RF tutta firmata Freescale.
Per quanto riguarda l’argomento flexMemory, non si può non attribuire a questa tecnologia di memoria l’appellativo di innovativa, perché vedere scritto (o tradotto…) che si tratta di una memoria che può essere letta e scritta in tempi brevissimi (tipicamente, in una catena di elaborazione digitale, la memoria è il collo di bottiglia che limita la velocità di esecuzione delle istruzione, peggio ancora se queste richiedono lo store di grandi quantità di dati) e soprattutto le due operazioni possono essere sovrapposte (leggo una cella di memoria mentre ne scrivo un’altra, senza dover attendere la commutazione tra le due modalità di gestione dell’intera memoria…se guardiamo infatti all’architettura tradizionale di una memoria, sia essa flash o ram, vi è un bit che distingue l’operazione di lettura da quella di scrittura e viceversa, qui no e sembra che la FlexMemory sia sempre attiva in entrambe le modalità). Diciamo che questo del poter leggere e scrivere in contemporanea è più un fatto di architettura con cui è costruita la memoria e non il frutto della tecnologia. Al contrario, la tecnologia conferisce a questa memoria il potere di essere affidabile nello store dei dati su un numero di cicli di lettura e scrittura minimo davvero impressionante, 2,23 milioni di cicli. Con i microcontrollori della concorrenza, non vorrei sbagliarmi, ma credo che non si sia mai andato oltre il milione di cicli di scrittura e lettura, prima di poter dichiarare inutilizzabile il micro stesso.
Con questa nuova tecnologia Freescale ha voluto sorprendere ancora una volta i progettisti e soprattutto ha voluto dimostrare alla concorrenza di essere davvero competitivi sul mercato dei sistemi digitali ed Embedded. Voi dite che sia riuscita a sorprendere? Io dico proprio di si!!

 

 

Login   
 Twitter Facebook LinkedIn Youtube Google RSS

Chi è online

Ultimi Commenti