La FRAM è 100 volte più veloce della Flash

Texas Instruments ha annunciato la prima memoria ultra-low-power ad accesso casuale ferroelettrica (FRAM) nei microcontrollori a 16 bit.

La nuova serie FRAM MSP430FR57xx assicura che i dati possono essere scritti più di 100 volte più veloce e utilizza meno energia (250 volte in meno dei microcontrollori flash basati sulla EEPROM). Inoltre, la FRAM on-chip permette il mantenimento dei dati in tutte le modalità dell'alimentatore, supporta oltre 100 miliardi di cicli di scrittura, e offre una nuova dimensione di flessibilità consentendo il partizionamento dei dati e la memoria di programma con dei semplici cambiamenti nel software.

La nuova famiglia di microcontrollori offre densità FRAM fino a 16Kb e supporta la registrazione continua di dati, eliminando il bisogno di costose EEPROM esterne e SRAM con batteria di backup. Altre periferiche integrate sono: opzioni e connettività analogiche, incluso anche ADC a 10bit, un moltiplicatore hardware a 32-bit, fino a cinque timers a 16bits e bus SPI/I2C/UART.

La FRAM è flessibile ed offre agli sviluppatori la capacità di utilizzare lo stesso blocco di memoria per funzionare come memoria di programma o memoria dati. Con FRAM, gli sviluppatori possono dinamicamente fare la partizione di memoria a seconda della fase attuale del ciclo di sviluppo dell'utente.

2 Commenti

  1. Giovanni Giomini Figliozzi 17 maggio 2011
  2. Stefano Lovati slovati 17 maggio 2011

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