La Microchip ha annunciato la produzione di prodotti affidabili per l'elettronica di potenza ad alta tensione al carburo di silicio (SiC).
La versione di produzione della Microchip riguarda la famiglia di dispositivi di alimentazione SiC, che offrono grande robustezza ed elevate prestazioni. Coadiuvati dall'ampia gamma di microcontrollori (MCU) di Microchip e dalle soluzioni analogiche, i dispositivi SiC si uniscono a una crescente famiglia di prodotti molto affidabili. Essi soddisfano la necessità di migliorare l'efficienza del sistema, la robustezza e la densità di potenza nei veicoli elettrici (EV) e in altre applicazioni ad alta potenza, come quelle industriali, aerospaziali e della difesa.
I MOSFET SiC da 700 V e i diodi a barriera Schottky SiC da 700 V e 1200 V si uniscono alla famiglia esistente dei moduli di alimentazione SiC. Offrono eccezionale robustezza dimostrata e certificata da test rigorosi. Risultano molto affidabili alle frequenze più alte, a lungo termine.
I Sic MOSFET e SBD offrono commutazioni switching più efficienti a frequenze più elevate e superano egregiamente le prove nei test di robustezza, dimostrando un'eccellente schermatura grazie alla bassa degradazione dei componenti. Tali prodotti sono ideali per il crescente numero di sistemi EV tra cui stazioni di ricarica esterne, caricabatterie integrati, convertitori DC-DC e soluzioni di controllo della trazione.