Renesas Electronics Corporation, uno dei principali fornitori di soluzioni avanzate per semiconduttori, ha annunciato di aver confermato con successo l'operazione di memoria su larga scala in un SG-MONOS utilizzando transistor 3D.
Questo risultato segue il successo di Renesas nel dicembre 2016, quando ha annunciato il funzionamento per le prime celle di memoria flash SG-MONOS del settore che utilizzano transistor a forma di pinna. Renesas ha dimostrato il funzionamento e l'affidabilità della memoria su larga scala, ottenendo progressi significativi verso la realizzazione di memorie flash di grande capacità di oltre 100 MB per l'uso in microntrollori. I progressi nei veicoli, in particolare il veicolo a guida autonoma e i progressi nella smart city stanno provocando un aumento della domanda di MCU avanzati ad alte prestazioni che utilizzano regole di progettazione ancora più precise per ottenere prestazioni più elevate e minor consumo di energia. Per rispondere a questa domanda, Renesas sta sviluppando una memoria flash che può essere incorporata nella generazione del processo a 16/14 nm, e riesce a superare i processi a 40/28 nm in cui attualmente gli MCU sono prodotti. La memoria flash SG-MONOS esegue la memorizzazione dei dati in un sottile film formato sulla superficie del substrato di silicio, il che rende relativamente più facile dispiegarlo in una struttura a pinne con una struttura tridimensionale.
