La nuova fabbrica di wafer da 300 millimetri di Texas Instruments

La nuova fabbrica di wafer da 300 millimetri di Texas Instruments a Richardson, in Texas, ha iniziato la sua produzione. Texas Instruments è infatti impegnata nel realizzare la prossima era della produzione di semiconduttori per supportare la crescita futura del mercato dell'elettronica.

Texas Instruments investe in una capacità produttiva di semiconduttori attraverso il nuovo e più grande wafer fab da 300 mm, che fa parte del più grande investimento per espandere la capacità di produzione interna a lungo termine. La più recente fabbrica di wafer da 300 millimetri di Texas Instruments a Richardson, in Texas, ha iniziato la produzione e aumenterà nei prossimi mesi per supportare la crescita futura dei semiconduttori nel settore dell'elettronica. Richardson ospita due impianti strategici di fabbricazione di wafer semiconduttori da 300 mm (o "fab") di Texas Instruments, rispettivamente RFAB1 e RFAB2. Queste due fabbriche produrranno più di 100 milioni di chip analogici ogni giorno a pieno ritmo di produzione. La fabbrica RFAB2 è collegata a RFAB1, che è stata inaugurata nel 2009 come il primo wafer fab analogico da 300 mm al mondo, ed è uno dei sei nuovi fab wafer da 300 mm che l'azienda sta aggiungendo alle operazioni di produzione. Il nuovo stabilimento è più grande del 30% rispetto a RFAB1. Quindici miglia di sistemi automatizzati di consegna sopraelevati sposteranno senza problemi i wafer tra i due stabilimenti una volta completamente costruiti. A piena produzione, le fabbriche Richardson produrranno più di 100 milioni di chip analogici ogni giorno che andranno nei dispositivi elettronici, dalle fonti di energia rinnovabile ai veicoli elettrici. Questo traguardo è il risultato di una stretta collaborazione tra i team di costruzione, le strutture e la produzione. Attraverso il nuovo impianto, TI aumenta la produzione nei prossimi mesi per supportare la domanda dei clienti negli anni a venire.

L'azienda ha un impegno di lunga data per una produzione responsabile e sostenibile. RFAB1 è stato il primo impianto di produzione di semiconduttori analogici certificato LEED Gold (Leadership in Energy and Environmental Design), progettato per soddisfare uno degli elevati livelli di efficienza strutturale e sostenibilità del sistema di classificazione. RFAB2 si basa su questo impegno ed è stato progettato anche per soddisfare gli standard LEED Gold. RFAB2 integra l'attuale fab footprint per wafer da 300 mm, inclusi DMOS6 (Dallas) e RFAB1 (Richardson), ed è uno dei sei nuovi fab per wafer da 300 mm che l'azienda sta aggiungendo per produrre internamente l'ampio e diversificato portafoglio di elaborazione analogica e incorporata di dispositivi a semiconduttore. LFAB nello Utah, che la società ha acquistato nel 2021, si sta preparando per la produzione iniziale nei prossimi mesi. TI ha anche annunciato un investimento di 30 miliardi di dollari in quattro nuove fabbriche a Sherman, in Texas, l'anno scorso. È in corso la costruzione del primo e del secondo fab, con la produzione del primo fab prevista per il 2025. Avere queste due fabbriche collegate all'interno di un sito di produzione a Richardson, in Texas, offre grandi efficienze operative e scalabilità, consentendo di supportare meglio i clienti e perseguendo l'eccellenza nella produzione di semiconduttori. L'espansione della produzione di wafer da 300 mm gioca un ruolo strategico nella crescita futura di TI e nella capacità di supportare la domanda dei clienti negli anni a venire.

 

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