Renesas Electronics rilascia i primi controllori PWM e Driver per GaN FET resistenti alle radiazioni

I dispositivi ISL71043M e ISL71040M, resistenti alle radiazioni, forniscono una soluzione ottimizzata nel costo e nelle dimensioni per la realizzazione di stadi di alimentazione da utilizzare all’interno di satelliti in orbita bassa.

La Renesas Electronics Corporation, ha annunciato i primi controllori PWM e driver per FET GaN resistenti alle radiazioni in package plastico per realizzare convertitori DC/DC presenti nei satelliti miniaturizzati e velivoli di lancio. L'ISL71043M è un controllore PWM che può essere utilizzato con il driver per FET GaN ISL71040M. Il controllore PWM ISL71043M fornisce alte prestazioni in un package plastico SOIC di dimensioni 4mm x 5mm, riducendo l’area occupata di circa 3 volte. Grazie al ridotto consumo di corrente pari a 5.5mA, con il ISL71043 si riducono le perdite.

Le nuove aziende private che operano nel settore spaziale hanno iniziato a lanciare i satelliti denominati “smallsat”, con lo scopo di formare grandi insiemi operanti su orbite basse (Low Earth Orbit, LEO). Essi saranno in grado di fornire una connessione a Internet a livello globale, delle immagini ad alta risoluzione delle aree marine e terrestri e il tracciamento delle merci. Gli ISL71043M e ISL71040M sono stati testati a bombardamenti di radiazioni fino a 30krads(Si). Entrambi i dispositivi operano nell'intervallo di temperatura da -55°C a +125°C.

 

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